Table de test de transistor numérique BSIDE ESR02 Pro M328 Testeur de résistance, d'inductance, de capacité ESR

Caractéristiques:
1. Ajoutez une fonction de détection de tension de démarrage
2. Détection automatique des transistors NPN et PNP, des MOSFET à canal N et à canal P, des diodes (y compris les diodes doubles), des thyristors, des transistors, des résistances et des condensateurs, etc.
3. Testez automatiquement les éléments de la broche et affichez-les sur l'écran LCD
4. Référence pour les transistors, les diodes de protection MOSFET et les facteurs d'amplification qui peuvent détecter la tension de polarisation directe de l'émetteur du transistor.
5. Mesurez la tension de seuil de grille et la capacité de grille du MOSFET
6. L'écran à cristaux liquides 1602 adopte un écran LCD (rétroéclairage à cristaux liquides 12864)
7. Vitesse de test rapide, test efficace des composants : 2 secondes (sauf pour les gros condensateurs, il faut beaucoup de temps pour mesurer une grande capacité, et le temps de mesure est normal d'une minute)
8. Fonctionnement en un clic, test de démarrage, acquisition en un clic
9. Mode d'arrêt de la consommation électrique : moins de 20 nA
10. Fonction d'arrêt automatique pour éviter le gaspillage inutile, économiser l'énergie de la batterie et améliorer la durée de vie de la batterie

Spécification:
1. Fonctionnement à deux boutons, arrêt automatique
2. Seulement 20na hors courant
3. Détection automatique des transistors bipolaires NPN, PNP, des transistors à effet de champ MOS à canal N et à canal P, des transistors à effet de champ à jonction, des diodes, des diodes, des thyristors, des thyristors unidirectionnels et bidirectionnels de faible puissance
4. Identifier automatiquement la disposition des broches des composants
5. Mesure du facteur d'amplification du courant du transistor bipolaire et de la tension de seuil base-émetteur
6. Identification du transistor Darlington par la tension de seuil base-émetteur et le facteur d'amplification de courant élevé
7. Détecte les diodes de protection des transistors bipolaires et MOS
8. Mesure de la tension de seuil et de la capacité de grille du MOS FET
9. Deux résistances et l'affichage du symbole de résistance peuvent être mesurés simultanément. La valeur décimale indiquée à droite est 4. Les symboles de résistance des deux côtés indiquent le nombre de broches. Vous pouvez donc mesurer le potentiomètre. Si le curseur du potentiomètre n'est pas déplacé vers la position extrême, nous pouvons distinguer le milieu et les deux extrémités de l'aiguille
10. La résolution de mesure de résistance est de 0,1 Ω, peut mesurer 50 MΩ
11. Peut mesurer un condensateur de 325pf à 100mf avec une résolution de 1pf
12. Des condensateurs de 2 uf supplémentaires peuvent mesurer simultanément une résistance série équivalente. Deux d'entre eux peuvent être affichés sous forme de valeurs décimales avec une résolution de 0,01 Ω
13. Les deux diodes peuvent être affichées avec le symbole de diode dans l'ordre correct et la tension directe de la diode peut être donnée.
14. La LED a été détectée comme ayant une tension directe de diode plus élevée. La combinaison de LED est identifiée comme deux diodes
15. Peut mesurer la capacité inverse d'une seule diode. Si le transistor bipolaire est connecté au collecteur ou à l'émetteur de la base et des broches, la capacité inverse de la jonction collecteur ou émetteur peut être mesurée
16. Peut être connecté à un pont redresseur de mesure unique